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또 30나노급 2기가비트 DDR3 D램에 대한 개발도 계획대로 완료해 내년 1분기 양산에 들어갈 계획이다.
하이닉스에 따르면 세계 최초로 개발된 30나노급 4기가비트 DDR3 D램은 향후 대용량 프리미엄 서버 및 고사양의 개인용 컴퓨터에서 요구하는 고용량·고성능·저전력 특성을 만족시킬 수 있는 제품으로, 이 제품을 통해 프리미엄 제품시장을 선점할 방침이다.
30나노급 D램은 기존 40나노급 D램에 비해 생산성이 70% 향상돼 원가경쟁력을 강화할 수 있고, 최대 2133Mbps의 데이터 처리속도를 구현해 기존 1333Mbps 제품대비 처리속도가 60%가량 빨라졌다.
2133Mbps의 데이터 전송속도는 16개의 정보 입출구(I/O)를 통해 영화 3~4편에 해당하는 4.2기가바이트의 데이터를 1초 내에 처리할 수 있는 속도다.
30나노급 2기가비트 서버용 제품은 1.25V의 초저전압과 친환경 기술을 적용한 제품으로 기존 40나노급 2기가비트 제품보다 60% 이상 전력소모를 줄일 수 있어 저전력 친환경 IT 산업 발전에 크게 기여할 것으로 예상된다.
30나노급 D램 개발이 완료됨에 따라 하이닉스는 업계 최고 수준의 기술경쟁력 및 원가경쟁력을 확보하게 돼 후발업체와의 경쟁력 격차를 더욱 확대할 수 있게 됐다.
박한진 기자 adhj79@cctoday.co.kr